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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
45
读取速度,GB/s
13.7
16.0
写入速度,GB/s
9.6
13.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2943
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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