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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
13.7
14.2
写入速度,GB/s
9.6
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2124
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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