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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
42
读取速度,GB/s
13.7
12.9
写入速度,GB/s
9.6
9.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2735
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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