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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
57
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
57
读取速度,GB/s
14.7
19.4
写入速度,GB/s
9.2
9.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2253
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
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Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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