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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
14.7
19.6
写入速度,GB/s
9.2
16.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3909
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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