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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
35
读取速度,GB/s
14.7
10.3
写入速度,GB/s
9.2
6.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
1851
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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