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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
14.0
15.2
写入速度,GB/s
9.2
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2355
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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