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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
14.0
14.1
写入速度,GB/s
9.2
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2640
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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