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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
14.0
10.3
写入速度,GB/s
9.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2235
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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