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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
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差异
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
14.0
15.2
写入速度,GB/s
9.2
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2773
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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