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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
5,022.9
17.3
写入速度,GB/s
1,597.0
15.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3632
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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