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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
5,022.9
18.3
写入速度,GB/s
1,597.0
12.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3122
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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