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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
39
左右 -105% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
19
读取速度,GB/s
5,022.9
19.9
写入速度,GB/s
1,597.0
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3359
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
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