RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.7
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
5,022.9
20.0
写入速度,GB/s
1,597.0
17.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3942
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
报告一个错误
×
Bug description
Source link