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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Kingston 9905625-062.A00G 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
34
读取速度,GB/s
5,022.9
15.6
写入速度,GB/s
1,597.0
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2776
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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