RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Kingston XF875V-MIH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XF875V-MIH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
34
读取速度,GB/s
5,022.9
14.8
写入速度,GB/s
1,597.0
12.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2785
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link