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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.6
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
51
读取速度,GB/s
5,022.9
9.6
写入速度,GB/s
1,597.0
7.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2248
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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