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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
5,022.9
15.9
写入速度,GB/s
1,597.0
11.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2991
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
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