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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
34
读取速度,GB/s
5,022.9
14.1
写入速度,GB/s
1,597.0
9.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2562
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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