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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
16.7
16.5
写入速度,GB/s
10.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3367
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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