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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
12.7
20.6
写入速度,GB/s
10.7
13.9
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2621
3518
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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