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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
22.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
79
左右 -147% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.4
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
32
读取速度,GB/s
3,061.8
22.6
写入速度,GB/s
1,468.1
16.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
3837
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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