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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Kingston 9905712-034.A00G 16GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
79
左右 -114% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
37
读取速度,GB/s
3,061.8
13.8
写入速度,GB/s
1,468.1
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2266
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
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