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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
79
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
34
读取速度,GB/s
3,061.8
15.8
写入速度,GB/s
1,468.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2902
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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