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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
79
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
34
读取速度,GB/s
3,061.8
15.8
写入速度,GB/s
1,468.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2902
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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