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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
79
左右 -182% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
28
读取速度,GB/s
3,061.8
15.4
写入速度,GB/s
1,468.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2892
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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