RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

总分
star star star star star
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

总分
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

差异 规格 评论

差异

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB 需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 15.7
    测试中的平均数值
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    42 left arrow 79
    左右 -88% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 1,468.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    79 left arrow 42
  • 读取速度，GB/s
    3,061.8 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    1,468.1 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    422 left arrow 2352

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
内存RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
内存RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
内存RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
内存RAM