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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
79
左右 -204% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.5
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
26
读取速度,GB/s
3,061.8
11.7
写入速度,GB/s
1,468.1
5.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
1771
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
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Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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