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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
106
左右 -324% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
25
读取速度,GB/s
3,273.7
14.5
写入速度,GB/s
2,069.2
11.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
2129
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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