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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
106
左右 -382% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
22
读取速度,GB/s
3,273.7
18.1
写入速度,GB/s
2,069.2
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3010
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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