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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
106
左右 -342% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
24
读取速度,GB/s
3,273.7
16.6
写入速度,GB/s
2,069.2
14.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3209
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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