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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
106
左右 -382% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
22
读取速度,GB/s
3,273.7
18.5
写入速度,GB/s
2,069.2
13.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3283
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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