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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
7.8
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
3007
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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