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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.2
19.4
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
3519
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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