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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.2
16.6
写入速度,GB/s
7.8
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
3169
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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