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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
13.2
18.0
写入速度,GB/s
9.3
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3385
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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