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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
13.2
16.8
写入速度,GB/s
9.3
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2990
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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