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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
13.2
18.8
写入速度,GB/s
9.3
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3765
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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