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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
13.2
16.9
写入速度,GB/s
9.3
13.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3285
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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