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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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规格
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
13.2
16.1
写入速度,GB/s
9.3
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2902
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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