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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
374
左右 89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
0.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
1.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
374
读取速度,GB/s
13.2
0.8
写入速度,GB/s
9.3
1.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
269
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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