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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
13.2
11.1
写入速度,GB/s
9.3
6.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2238
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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