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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
13.2
16.9
写入速度,GB/s
9.3
12.4
内存带宽,mbps
12800
no data
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2285
3043
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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