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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
9.3
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3136
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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