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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
13.2
16.4
写入速度,GB/s
9.3
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2532
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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