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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
比较
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.3
20.4
写入速度,GB/s
7.8
16.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3810
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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