RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
42
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
37
读取速度,GB/s
13.3
15.4
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2321
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link