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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
34
读取速度,GB/s
9.0
15.4
写入速度,GB/s
5.7
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
2791
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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