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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
9.0
16.3
写入速度,GB/s
5.7
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
3205
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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