RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
44
读取速度,GB/s
9.0
17.3
写入速度,GB/s
5.7
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
2523
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM的比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link