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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
38
读取速度,GB/s
9.0
14.1
写入速度,GB/s
5.7
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
2569
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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